满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积sio2、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难溶金属硅化物等多种薄膜工艺。用等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD)是在等离子的帮助下进行处理的薄膜沉积工艺。在众多的等离子产生办法中，泰斯达PECVD反应系统使用了高密度的等离子源，如高频（RF-PECVD）、微波（MW-PECVD）和电子回旋共振（ECR-PECVD）。其浓密的等离子适用于薄膜太阳能电池、表面改性、光和工业镀覆、氮化硅钝化、金刚石薄膜和其他。泰斯达所提供的PECVD系统可为客户个体制造和研发需求量身定制。

RF-PECVD

非晶和微晶硅薄膜可以通过RF-PECVD进行高经济效益的沉积。这些薄膜组成了非晶硅太阳能电池的吸光层或串联硅电池（非晶硅+微晶硅）。我们提供了为客户设计的RF-PECVD系统，可以在任何类型的太阳能电池上使用。非晶硅太阳能电池的泰斯达标准的RF-PECVD系统被配置为四个处理室群。其设计可处理高达12"/300 mm见方的基板。处理室可以自动或手动装载。这个系统是与FCS-10/30处理控制器和DCS30数据收集系统同时出现的。