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片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、 控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。
扩散炉技术指标：
可处理硅片尺寸：2—12英寸
外型形式：卧式1—4管结构
工作温度：200℃—1300℃
恒温区长度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃
单点温度稳定性、重复性：≤±1℃／24h
温度斜变：可控升温速率15℃／min
可控降温速率：5℃／min
送片装置：手动推拉
气路系统：1—5路工艺气体／管
气体控制：手动浮子流量计
控制方式：程控